電源適配器Topswitch－ FX芯片的設(shè)計(jì)要點(diǎn)

一． Topswitch－ FX的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
（1） Topswitch－FX芯片
設(shè)計(jì)電源適配器時(shí)可根據(jù)所需較大輸出功率（Pom）、電源效率（H、散熱條件以及價(jià)格因素，選擇合適的 topswitch－fx芯片。考慮到這類(lèi)芯片能從外部降低極限電流值，有時(shí)可選較大功率的 topswitch－fx芯片供降額使用，以滿(mǎn)足輸出功率較低、效率較高、散熱條件較差的特殊用途。
2）輸人濾波電容
輸入濾波電容C～應(yīng)能在輸入交流低壓時(shí)提供 Topsswitch－FX進(jìn)行電源變換所必須的　　較小直流電壓Vmin。由于 ropsswitch－fx的大占空比達(dá)78％，因此可適當(dāng)減小C的容　　量。通常取比例系數(shù)C＝／Po＝2pF／W，即每瓦輸出功率對(duì)應(yīng)于2pF的電容量.

3）漏極鉗位保護(hù)電路
每當(dāng)功率 MOSFET由導(dǎo)通變成截止時(shí)，在電源適配器的初級(jí)上就會(huì)產(chǎn)生尖峰電壓和感應(yīng)電壓。其中的尖峰電壓是由于高頻變壓器存在漏感（即漏磁產(chǎn)生的自感）而形成的，它與直流高壓V和感應(yīng)電壓Vo疊加后很容易損壞 MOSFET。為此，必須增加漏級(jí)保護(hù)電路，對(duì)尖峰電壓進(jìn)行鉗位或者吸收。漏級(jí)保護(hù)電路有3種設(shè)計(jì)方案：
①利用瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）和超快恢復(fù)二極管（SRD）組成TVS、SRD鉗位電路
②由齊納穩(wěn)壓管（VDZ）和超快恢復(fù)二極管構(gòu)成鉗位電路；
③利用阻容元件和超快恢復(fù)二極管組成R、C、SRD鉗位電路。
上述方案中以①和②所需元器件數(shù)量較少，所占印制板面積也小。選擇方案①或②時(shí)，為了提高電源效率，要求TVs的鉗位電壓（或Vu的反向擊穿電壓V2）至少等于初級(jí)感應(yīng)電壓Vo的1．5倍。設(shè)計(jì)時(shí)Vo一般不超過(guò)135V。方案③能充分發(fā)揮 Topsswitch－FX占空比調(diào)節(jié)范圍寬、lm容差小、可從外部降低極限電流等特點(diǎn)，此時(shí)需把Vo提高到165V
（4）輸出整流管
選擇輸出整流管時(shí)應(yīng)當(dāng)考慮較高反向峰值電壓（Vms），較大輸出電流（lo）和散熱條件等因素。當(dāng)Vo≤20V時(shí)，可選耐壓為60V的肖特基二極管；當(dāng)Vo≤30V時(shí)，可選耐壓為100V的肖特基二極管；當(dāng)Vo＞30V時(shí)，宜選高壓、大電流的超快恢復(fù)二極管。
（5）設(shè)計(jì)讠印制板的注意事項(xiàng)
①輸入濾波電容的負(fù)極須單點(diǎn)連到反饋繞組回路中
②以源極為參考地，連接到多功能端的阻容元件應(yīng)盡量靠近M極和S極，并單獨(dú)連到源極上。多功能端的引線應(yīng)力求短捷，不要靠近漏極引線，以免引入開(kāi)關(guān)噪聲干擾。
③控制端的旁路電容要盡量靠近C極與S極。光耦合器的輸出端也應(yīng)靠近控制端

4.源極引線上不得有功率開(kāi)關(guān)管（MOSFET）的電源通過(guò)
二．　Topswitch FX系列產(chǎn)品的分類(lèi)
topswitch－fx系列產(chǎn)品可劃分成三種類(lèi)型，共9種型號(hào)，產(chǎn)品型號(hào)中的尾綴P、G分別表示DIP8封裝（TOP232P～TOP234P）、SMD8封裝（TOP232G～TOP234G）；尾綴Y代表TO220－7B封裝（TOP232Y～TOP234Y）。表中的POM值均為環(huán)境溫度TA＝50℃時(shí)的較大連續(xù)輸出功率。在密封式電源適配器模塊中，包含開(kāi)關(guān)電源。